Micron、12層36GB HBM4サンプル出荷開始！

📌 ニュース：
Micronは10日、AIデータセンター向けの高帯域幅メモリ「HBM4 36GB 12-high」のサンプル出荷を開始しました。このメモリは、1β DRAMプロセスで製造され、12層の先進パッケージ技術を採用。

2,048bitのインターフェイスにより、メモリスタックあたり2TB/sを超える高速転送が可能です。

HBM3E比で60%以上の性能向上と、20%以上の電力効率改善を実現。これにより、AIデータセンターの処理速度や推論効率が向上します。量産は2026年を予定しています。

• Micronが新しいHBM4メモリのサンプル出荷を開始しました！以下がそのポイントです✨

  1. 新技術の採用 🛠️
     Micronは、12層積層で構成された「HBM4 36GB 12-high」を発表しました。このメモリは、AIデータセンター向けに特化しています。

  2. 性能向上と電力効率 ⚡
     前世代のHBM3Eと比べて、性能が60%以上向上し、電力効率も20%以上改善されています。これにより、AI処理の速度と効率が大幅に向上します。

  3. 量産予定 📅
     HBM4の量産開始は2026年を予定しています。高性能なメモリ技術が今後のデータセンターにどのように影響するか、注目です！

  この技術革新が、今後のAI関連技術にどれだけ寄与するか、大変楽しみですね！