台湾にて23日まで開催中のCOMPUTEX TAIPEI 2025にあわせ、Micronが同社の最新技術や製品などの展示を実施した。
デモエリアでは、1γプロセスノードを使ったMicron 1γ DRAMを展示。同社初となるEUV露光技術を活用して製造され、前世代の1βと比べ、20%の省電力化、30%以上のビット密度向上を実現。転送速度は最大9,200MT/sに達する。2025年後半には採用製品が登場する見込みとしており、データセンターやAI PC、モバイルなど、幅広い用途に価値を提供できるとする。
Micron 1γ DRAMのウェハ
前世代との比較
前世代との製造方法の違い
Micron G9 NANDは、第9世代技術を使った276層の高性能3D NANDフラッシュ。こちらもデータセンターからクライアント、エッジまで幅広い領域をカバー。OEM向けの採用製品として、PCIe 5.0対応のハイパフォーマンスPC向けのSSD「Micron 4600 NVMe SSD」と、PCIe 4.0対応で価格と性能のバランスをとった「Micron 2650」をあわせて展示していた。前者は512GB～4TB、後者は256GB～1TBをラインナップする。
Micron G9 NANDと採用製品
Micron 4600
Micron 2650
あわせて、データセンターや産業向け、コンシューマ向けのCrucialブランドの製品などの展示も行なっていた。以下、写真でご紹介する。
Crucialブランド製品
Crucial T710
Crucial P510
Crucial P310
Crucial P310
Crucial E100
Crucial X10 Pro
Crucial X10
Crucial X9
Crucial DDR5 Pro OC Gaming Memory
データセンター向け製品
Micron HBM3E
Micron HBM4
Micron MRDIMM tall form factor
Micron SOCAMM
Micron DDR5 RDIMM
Micron CZ122 memory expansion module
Micron 9950 NVMe SSD
Micron 6650 ION NVMe SSD
エッジデバイス向け製品
Micron GDDR7
Micron UFS 4.1
Micron LPDDR5X
Micron LPCAMM2
Micron CSODIMM
Micron CUDIMM
車載/産業向け製品
DDR5 Commercial/IT grades
LPDDR5 Automotive/IT grades
LPDDR4 Automotive grades
i400 microSD
4100AT SSD
4150AT Automotive SSD
🧠 編集部の感想：
Micronの新しい1γ DRAMと276層NANDの発表は、データセンターやAI技術の進化に貢献する期待が高まります。また、転送速度9,200MT/sや省電力化は、特に性能を重視する市場において競争力を強化するでしょう。新技術が実用化されることで、多様なデバイスやアプリケーションのパフォーマンス向上に繋がることを楽しみにしています。
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