キオクシアは、AI、マシンラーニング、ハイパフォーマンスコンピューティング向けのNVMe SSD「KIOXIA CM9シリーズ」を発表した。試作品は22日までラスベガスで開催されるDell Technologies Worldで参考展示される。
CMOS directly Bonded to Array(CBA)技術を活用した第8世代BiCS FLASH TLCフラッシュメモリを採用している。メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイを別々のウェハで作り込み、メモリセルアレイ側のウェハを反転させて2枚のウェハを貼り合わせる技術で、フラッシュメモリの速度向上、高密度化、および消費電力の低減を実現し、SSDの性能向上に貢献するとしている。
前世代機の「KIOXIA CM7」シリーズと比較して、ランダムライトで約65%、ランダムリードで約55%、シーケンシャルライトで約95%の性能向上を実現。消費電力1Wあたりの性能も向上し、シーケンシャルリードで約55%、シーケンシャルライトで約75%の効率改善を達成したという。
転送速度は、最大リードが14.8GB/s、最大ライトが11GB/s、ランダム性能(4KiB)がQD512で3,400KIOPS、QD32で800KIOPS。
インターフェイスはPCIe 5.0/NVMe 2.0/NVMe-MI 1.2c/OCP Datacenter NVMe SSD 2.5で、フォームファクタは2.5インチおよびEDSFF(E3.S)、デュアルポートに対応。2.5インチモデルの最大容量は61.44TB、E3.Sモデルは最大30.72TBとなっている。1DWPD(Drive Write Per Day)のリードインテンシブモデルと3DWPDのミックスユースモデルを用意する。
🧠 編集部の感想：
キオクシアの新しいエンタープライズ向けSSDは、61.44TBという驚異的な容量と大幅な性能向上を実現しており、AIやハイパフォーマンスコンピューティングのニーズに応える素晴らしい技術です。CMOSおよびフラッシュメモリの先進的な統合により、効率と速度が大幅に改善されている点も注目に値します。これにより、ビッグデータ処理やクラウドサービスの向上が期待され、企業にとっての新たな可能性が広がります。
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