「Micron、記憶密度40%UPのNAND技術」

📌 ニュース：
Micronの第9世代3D NANDフラッシュ技術は、シリコンダイ当たりの記憶容量は変わらないものの、記憶密度を40%向上させ、データ転送速度も1.5倍に改善。積層数は276層と前世代の232層から19%増加したが、他の工夫で密度を高めている。

特に、水平方向のサイズ縮小やダミーのピラー削減などが効果を発揮。また、隣接セル間の干渉をエアギャップや局所的な窒化膜により削減する「Confined SN」技術を採用することで、プログラム時間を10%短縮。将来的にはウェハ張り合わせによる性能最適化が進む。技術革新が続くNANDフラッシュ業界に期待が高まる。

• 以下は、Micronの最新のNANDフラッシュ技術に関する記事のポイントです。

  🌟 記憶密度の大幅向上
  Micronの第9世代(G9)の3D NANDフラッシュは、記憶セルアレイの密度を40%増加させながら、積層数は19%の増加にとどまっています。この巧妙な設計により、シリコンダイの効率が向上しました。

  🔧 新技術「Confined SN」の導入
  Micronは隣接セル間の干渉を抑えるために、エアギャップ絶縁と局所的な窒化膜を用いた新技術「Confined SN」を開発しました。これにより、プログラム時間が短縮され、メモリウィンドウの持続性が向上しました。

  📈 将来的な技術革新
  近い将来、MicronはCMOS周辺回路とメモリセルアレイのウェハを張り合わせる方法を採用する予定です。これにより、性能が最適化され、コストが低減する見込みです。